[发明专利]磁控等离子溅射硅薄膜技术

摘要

本发明主要在提供另一种制作硅薄膜太阳能膜层的方法。此发明主要包含power supply、腔体机台本体、matching box、机械帮浦、高速帮浦、加热板。由於一般制作硅薄膜主流之制程技术主要以化学气相沈积法(CVD)为主，其缺点在於系统设备昂贵、且所使用之气体具有毒性，故本发明目的在使用物理气相沈积法(PVD)直接沈积多晶硅，不仅制程容易、且低成本、无污染、无危险性。又微晶硅薄膜太阳能电池之可靠度较佳，且较无光劣化效应之问题，故在成本与可行性方面之考量下，本发明以混通氢氢，并使用反应磁控溅镀之方式成长微晶硅薄膜。

主权项

本发明主要目的在提供另一种制作硅薄膜太阳能膜层的方法。其系统主要包含power supply、腔体机台本体、matching box、机械帮浦、高速帮浦、加热板。目前一般制作硅薄膜主流之制程技术以化学气相沈积法(CVD)为主，但其缺點爲系统设备昂贵、使用之气体具有毒性，故本研究目的在使用物理气相沈积法(PVD)直接沈积多晶硅，不僅制程容易，且低成本、无污染、无危险性。