[发明专利]磁控等离子溅射硅薄膜技术

权利要求书

1.本发明主要目的在提供另一种制作硅薄膜太阳能膜层的方法。其系统主要包含power supply、腔体机台本体、matching box、机械帮浦、高速帮浦、加热板。目前一般制作硅薄膜主流之制程技术以化学气相沈积法(CVD)为主，但其缺點爲系统设备昂贵、使用之气体具有毒性，故本研究目的在使用物理气相沈积法(PVD)直接沈积多晶硅，不僅制程容易，且低成本、无污染、无危险性。

2.根据权利要求1所述射频溅镀系统(RF sputtering system)基本上是使用真空抽气设备，将真空室(chamber)抽至高真空环境中，再充入工作气体(working gas)于真空室内，工作气体一般是氩气，借着互相对应的阴极(靶材)和阳极(基板和真空室壁)，施加频率13.56MHz的交流电压于此系统内，使得真空室。

3.根据权利要求1一方面主要在探讨以磁控溅镀方式直接沈积微晶硅薄膜时，各实验參數(例如：电源功率、基板温度、氢气流量)和薄膜结晶情况之关系；另一方面在评估所镀制出的薄膜应用于薄膜太阳能电池之可能性，所以最后还需测量出薄膜导电率，并与现今以电浆增强化学气相沈积法(PECVD)得到之结果做比较。