[发明专利]一种MOCVD设备的双层进气喷头装置无效
申请号: | 201110188047.1 | 申请日: | 2011-07-06 |
公开(公告)号: | CN102230166A | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 刘军林;蒲勇;方文卿;王立;江风益 | 申请(专利权)人: | 刘军林 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 张文 |
地址: | 330047 江西省南*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种MOCVD设备的双层进气喷头装置,它包括一个内有上进气腔、下进气腔和水冷腔的封闭型外壳体,特征是:在下进气腔与反应室之间安装有将下进气腔与反应室连通的下出气管,在上进气腔和下出气管之间安装有将上进气腔和下出气管连通的上出气管,上出气管的外径小于下出气管的内径,且上出气管的下端伸入到下出气管内,但不能缩到下进气腔内,上出气管与下出气管之间设有间隙。两种类型的反应气体在进入反应室前在上出气管的出口与下出气管出口之间的空间进行预混合。本发明具有将不同反应气体分别送入反应室、使不同反应气体到达衬底就已经能充分混合、预反应小的特点,可提高材料生长的晶体质量以及原材料利用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 设备 双层 喷头 装置 | ||
【主权项】:
一种MOCVD设备的进气喷头装置,包括一个由顶板、侧壁以和底板组成的封闭型外壳,封闭型外壳的内部被上中层板和下中层板分成三个部分,分别为上进气腔、下进气腔以及水冷腔,在上进气腔对应的侧壁上安装有负责将一种类型的气体输运到上进气腔内的上进气管,在下进气腔对应的侧壁上安装有负责将另一种类型的气体输运到下进气腔内的下进气管,在水冷腔两端对应的侧壁上分别安装有冷却水进水管和冷却水出水管,其特征在于:在下进气腔与反应室之间安装有将下进气腔与反应室连通的下出气管,在上进气腔和下出气管之间安装有将上进气腔和下出气管连通的上出气管,上出气管的外径小于下出气管的内径,且上出气管的下端伸入到下出气管内,上出气管与下出气管之间设有间隙。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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