[发明专利]一种MOCVD设备的双层进气喷头装置无效
申请号: | 201110188047.1 | 申请日: | 2011-07-06 |
公开(公告)号: | CN102230166A | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 刘军林;蒲勇;方文卿;王立;江风益 | 申请(专利权)人: | 刘军林 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 张文 |
地址: | 330047 江西省南*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mocvd 设备 双层 喷头 装置 | ||
1.一种MOCVD设备的进气喷头装置,包括一个由顶板、侧壁以和底板组成的封闭型外壳,封闭型外壳的内部被上中层板和下中层板分成三个部分,分别为上进气腔、下进气腔以及水冷腔,在上进气腔对应的侧壁上安装有负责将一种类型的气体输运到上进气腔内的上进气管,在下进气腔对应的侧壁上安装有负责将另一种类型的气体输运到下进气腔内的下进气管,在水冷腔两端对应的侧壁上分别安装有冷却水进水管和冷却水出水管,其特征在于:在下进气腔与反应室之间安装有将下进气腔与反应室连通的下出气管,在上进气腔和下出气管之间安装有将上进气腔和下出气管连通的上出气管,上出气管的外径小于下出气管的内径,且上出气管的下端伸入到下出气管内,上出气管与下出气管之间设有间隙。
2.根据权利要求1所述的MOCVD设备的进气喷头装置,其特征在于:上出气管的下端伸入到下出气管内,且上出气管的出口到下出气管的出口的距离h为2--30mm。
3.根据权利要求1所述的MOCVD设备的进气喷头装置,其特征在于:下出气管的出口到衬底的距离设为10-20mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘军林,未经刘军林许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110188047.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的