[发明专利]一种硅烷膜的电沉积制备方法及其用途

摘要

本发明公开了一种从硅烷薄层液膜中电沉积制备硅烷膜的方法及其用途。它是先将硅烷/水/有机溶剂的混合溶液预先水解0.5～48小时，而后将金属基体水平浸没入硅烷预水解液中，同时控制金属基体表面硅烷预水解液的液膜厚度在100～5000mm，通过在金属表面施加阴极电位的方法电沉积制备得到硅烷膜，其中，相对于饱和甘汞参比电极(SCE)施加的电位为-0.5～-1.4V。电沉积制备得到的硅烷膜用于金属基体的表面防护性处理。本发明中采用的薄层液膜有利于空气中的氧气扩散并补充至金属基体，促进硅烷膜的阴极电沉积，并同时提高了硅烷膜的耐腐蚀性能。

主权项

一种硅烷膜的电沉积制备方法，其特征在于它的步骤如下：1)依次加入40～100mL有机溶剂、10～200mL去离子水、1～30mL硅烷，用醋酸调节pH至3～6，充分搅拌均匀，置于25～40oC恒温水浴中预水解0.5～48小时，得到硅烷预水解液，待用；  2)搭好薄液膜装置，并通过水平仪调整金属工作面至水平后，加入硅烷预水解液，金属基体为工作电极，围绕多圈环状铂丝作为对电极，饱和甘汞电极(SCE)作为参比电极，金属基体依次经400、600、800号金相砂纸打磨后，放入除油液中于30～60℃下超声5～60分钟，用自来水冲去电极表面残留除油液，去离子水冲洗电极表面后吹干置于干燥器中，待用；3)薄液膜控制厚度为100～5000 μm，对工作电极施加‑0.5～‑1.4V的负电位，沉积时间为30s～30min，后立即将试样取出，用氮气吹去金属基体表面残余的硅烷预水解溶液，放入60～120oC干燥箱内固化0.5～5小时。