[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 201110187759.1 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102866578A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;孟晓莹;周俊卿;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/308;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻方法，该方法包括：在待刻蚀半导体层上形成矩形光刻胶后，通过光刻胶回流，在所述矩形光刻胶的一端或两端形成椭圆光刻胶以形成类骨状图案化的光刻胶。由于在易出现线边缘短化的对应光刻胶部位进行了补偿，因此，避免了由于LES(Line edge shortening)效应引起的刻蚀后的半导体层矩形形状边缘短化的问题，进而使半导体器件性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，包括：在待刻蚀半导体层上形成条纹状第一光刻胶层；对所述第一条纹光刻胶层进行冻结处理；在所述第一条纹光刻胶层上形成与其正交的第二条纹光刻胶层；对所述第一条纹光刻胶层进行过刻蚀处理；对所述第二条纹光刻胶层进行过去除处理，形成矩形光刻胶；通过光刻胶回流，在所述矩形光刻胶的一端或两端形成椭圆光刻胶；以回流过的光刻胶作为掩膜对待刻蚀半导体层进行刻蚀。
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