[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 201110187759.1 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102866578A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;孟晓莹;周俊卿;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/308;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻方法，包括：
在待刻蚀半导体层上形成条纹状第一光刻胶层；
对所述第一条纹光刻胶层进行冻结处理；
在所述第一条纹光刻胶层上形成与其正交的第二条纹光刻胶层；
对所述第一条纹光刻胶层进行过刻蚀处理；
对所述第二条纹光刻胶层进行过去除处理，形成矩形光刻胶；
通过光刻胶回流，在所述矩形光刻胶的一端或两端形成椭圆光刻胶；
以回流过的光刻胶作为掩膜对待刻蚀半导体层进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二光刻胶层厚度大于第一光刻胶层厚度。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述待刻蚀半导体层为多晶栅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110187759.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
