[发明专利]改善阶调曲线变动的自我补偿储存电容像素结构有效

专利信息
申请号: 201110187647.6 申请日: 2011-07-06
公开(公告)号: CN102243406A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 洪孟锋 申请(专利权)人: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/02
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210033 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种改善阶调曲线变动的自我补偿储存电容像素结构,包括:一扫描线;一储存电容线;两信号线;一像素,由所述一扫描线、所述一储存电容线与所述两信号线交叉包围所定义;一像素电极,设置于所述像素内,所述像素电极与所述储存电容线交迭形成储存电容Cs,且所述储存电容线在所述像素的左侧到交迭区域部分的宽度大于所述像素电极的宽度。本发明的像素结构使得像素的储存电容Cs可自动补偿Cgd变化对回踢电压的影响,使得当阵列制程中发生对位偏移时仍可保持像素特性大致相同,进而改善阵列制程中因回踢电压变化导致面板间的阶调曲线的变动。
搜索关键词: 改善 曲线 变动 自我 补偿 储存 电容 像素 结构
【主权项】:
一种改善阶调曲线变动的自我补偿储存电容像素结构,包括:一扫描线;一储存电容线;两信号线;一像素,由所述一扫描线、所述一储存电容线与所述两信号线交叉包围所定义;一像素电极,设置于所述像素内,所述像素电极与所述储存电容线交迭形成储存电容Cs,且所述储存电容线在所述像素的左侧到交迭区域部分的宽度大于所述像素电极的宽度。
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