[发明专利]与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法及隔离腔体

摘要

本发明提供一种与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法，包括步骤：提供腔体基底，其上形成阻挡层；刻蚀阻挡层和腔体基底，形成槽；在阻挡层表面和槽侧壁与底部淀积保护层；去除阻挡层表面和槽底部的保护层，在槽侧壁形成侧壁保护层；以阻挡层和侧壁保护层为掩膜，形成深槽；湿法腐蚀深槽，在腔体基底内形成腔体；提供覆盖基底，其中形成缺陷层，从中划分出一表层基底；将覆盖基底和腔体基底键合，腔体与外界隔离；以缺陷层为界，将表层基底与覆盖基底分开。相应地，本发明还提供一种隔离腔体。本发明属于正面工艺，与传统半导体工艺兼容。其实现方式简单，形成腔体后的基底厚度大大减薄。不但能降低制造费用，而且与器件小型化趋势相符。

主权项

一种与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法，包括步骤：提供腔体基底，在所述腔体基底上形成阻挡层；依次刻蚀所述阻挡层和所述腔体基底，在所述腔体基底上形成槽；在所述阻挡层的表面和所述槽的侧壁与底部淀积保护层；去除所述阻挡层的表面和所述槽的底部的保护层，在所述槽的侧壁形成侧壁保护层；以所述阻挡层和所述侧壁保护层为掩膜，继续刻蚀所述槽，形成深槽；采用湿法腐蚀法腐蚀所述深槽，在所述腔体基底的内部形成腔体；提供覆盖基底，在所述覆盖基底中形成缺陷层，所述覆盖基底被所述缺陷层从中划分出一表层基底；将所述覆盖基底和所述腔体基底面对面进行键合，将所述腔体与外界隔离；以所述缺陷层为界，将所述表层基底与所述覆盖基底分割开，所述表层基底仍保留于所述腔体基底的表面，继续封闭所述腔体。