[发明专利]制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件有效
| 申请号： | 201110185733.3 | 申请日： | 2011-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102315340A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 金台勋;金起范;许元九;金荣善;金起成 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件。本方法包括：提供具有彼此相对的第一主表面和第二主表面的基板，并在第一主表面中形成第一不平坦结构；在基板的第一主表面上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成具有开口区域的掩模，从而使牺牲层的上表面的一部分暴露；通过经由开口区域蚀刻牺牲层和基板而在基板上形成第二不平坦结构；从基板上去除牺牲层和掩模；以及在基板的第一不平坦结构和第二不平坦结构上形成发光堆。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：提供具有彼此相对的第一主表面和第二主表面的基板，并在所述第一主表面中形成第一不平坦结构；在所述基板的所述第一主表面上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成具有开口区域的掩模，从而使所述牺牲层的上表面的一部分暴露；通过经由所述开口区域蚀刻所述牺牲层和所述基板而在所述基板中形成第二不平坦结构；从所述基板上去除所述牺牲层和所述掩模；以及在所述基板的所述第一不平坦结构和所述第二不平坦结构上形成发光堆。
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