[发明专利]制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件

权利要求书

1.一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：

提供具有彼此相对的第一主表面和第二主表面的基板，并在所述第一主表面中形成第一不平坦结构；

在所述基板的所述第一主表面上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成具有开口区域的掩模，从而使所述牺牲层的上表面的一部分暴露；

通过经由所述开口区域蚀刻所述牺牲层和所述基板而在所述基板中形成第二不平坦结构；

从所述基板上去除所述牺牲层和所述掩模；以及

在所述基板的所述第一不平坦结构和所述第二不平坦结构上形成发光堆。

2.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述掩模的形成包括：

在所述牺牲层上形成金属层；以及

使所述金属层聚集以形成多个簇。

3.根据权利要求2所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述金属层具有在10··到250··范围内的厚度。

4.根据权利要求2所述的制造半导体发光器件的方法，其中，通过所述金属层的聚集而形成的所述多个簇在尺寸和间隔上是不规则的。

5.根据权利要求2所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述掩模的所述开口区域的至少一部分是纳米尺寸的。

6.根据权利要求2所述的制造半导体发光器件的方法，其中，通过使所述金属层受到热处理来执行所述金属层的聚集。

7.根据权利要求6所述的制造半导体发光器件的方法，其中，在300℃到650℃之间的温度条件下进行所述热处理。

8.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，通过蚀刻所述第一不平坦结构的凸出部分来形成所述第二不平坦结构的至少一部分。

9.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述牺牲层包含从二氧化硅、氮化硅以及氧化钛所构成的组中选出的材料。

10.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，使所述牺牲层形成为具有与所述第一不平坦结构的形状相对应的形状。

11.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述牺牲层由多孔材料形成。

12.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，从所述基板去除所述掩模和所述牺牲层包括蚀刻所述牺牲层以使所述掩模与所述基板分离。

13.根据权利要求12所述的制造半导体发光器件的方法，其中，通过使用湿蚀刻工艺来执行所述牺牲层的蚀刻。

14.根据权利要求13所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述湿蚀刻工艺形成所述基板中的另一不平坦结构。

15.根据权利要求14所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述另一不平坦结构在尺寸上小于所述第一不平坦结构和所述第二不平坦结构。

16.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述第一不平坦结构在尺寸上大于所述第二不平坦结构。

17.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述第一不平坦结构是微米等级的，而所述第二不平坦结构是纳米等级的。

18.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述第一不平坦结构包括在形状和间隔上恒定的凸出部分。

19.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述第一不平坦结构包括具有穹顶形状的凸出部分。

20.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述第一不平坦结构包括具有圆锥形状或多棱锥形状的凸出部分。

21.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，通过使用干蚀刻工艺来执行通过蚀刻所述牺牲层和所述基板而在所述基板中形成所述第二不平坦结构。

22.根据权利要求21所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述干蚀刻工艺同时蚀刻所述牺牲层和所述基板。

23.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，进一步包括在所述发光堆的形成之后使所述基板与所述发光堆分离。