[发明专利]半导体光放大器有效
| 申请号： | 201110185441.X | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315590A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 仓本大;池田昌夫;幸田伦太郎;大木智之;渡边秀辉;宫嶋孝夫;横山弘之 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体光放大器，其包括：层叠结构，该层叠结构依次包括由GaN化合物半导体构成并且具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有由GaN化合物半导体构成的光放大区的第三化合物半导体层以及由GaN化合物半导体构成并且具有第二导电类型的第二化合物半导体层；第二电极，其形成于第二化合物半导体层上；以及第一电极，其电连接于第一化合物半导体层。所述层叠结构具有脊状条纹结构。当在光出射端面中的脊状条纹结构以及在光入射端面中的脊状条纹结构的各宽度分别为Wout和Win时，则满足Wout＞Win。从光出射端面起，沿半导体光放大器的轴线而在层叠结构的内部区域中设置载流子非注入区。本发明可获得更大的光输出，并且使输出的激光变得稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 放大器 | ||
【主权项】：
一种半导体光放大器，其包括：层叠结构，其中依次层叠有具有第一导电类型并且由GaN化合物半导体构成的第一化合物半导体层、具有由GaN化合物半导体构成的光放大区的第三化合物半导体层、以及具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型并且由GaN化合物半导体构成的第二化合物半导体层；第二电极，其形成于所述第二化合物半导体层上；和第一电极，其电连接于所述第一化合物半导体层，其中，所述层叠结构具有脊状条纹结构，当在光出射端面中的所述脊状条纹结构的宽度为Wout，并且在光入射端面中的所述脊状条纹结构的宽度为Win时，满足Wout＞Win，并且从所述光出射端面起，沿所述半导体光放大器的轴线而在所述层叠结构的内部区域中设有载流子非注入区。
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