[发明专利]半导体光放大器有效
| 申请号： | 201110185441.X | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315590A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 仓本大;池田昌夫;幸田伦太郎;大木智之;渡边秀辉;宫嶋孝夫;横山弘之 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 放大器 | ||
1.一种半导体光放大器，其包括：
层叠结构，其中依次层叠有具有第一导电类型并且由GaN化合物半导体构成的第一化合物半导体层、具有由GaN化合物半导体构成的光放大区的第三化合物半导体层、以及具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型并且由GaN化合物半导体构成的第二化合物半导体层；
第二电极，其形成于所述第二化合物半导体层上；和
第一电极，其电连接于所述第一化合物半导体层，
其中，所述层叠结构具有脊状条纹结构，
当在光出射端面中的所述脊状条纹结构的宽度为Wout，并且在光入射端面中的所述脊状条纹结构的宽度为Win时，满足Wout＞Win，并且
从所述光出射端面起，沿所述半导体光放大器的轴线而在所述层叠结构的内部区域中设有载流子非注入区。
2.如权利要求1所述的半导体光放大器，其中，Wout为5μm以上。
3.如权利要求1所述的半导体光放大器，其中，Win为1.4μm～2.0μm且包括端值。
4.如权利要求1至3之任一项所述的半导体光放大器，其中，在所述载流子非注入区中未设有所述第二电极。
5.如权利要求1至3之任一项所述的半导体光放大器，其中，所述第二电极由被隔离沟槽隔离的第一部分和第二部分构成，并且所述第二电极的第二部分设置在所述载流子非注入区中。
6.如权利要求5所述的半导体光放大器，其中，对所述第二电极的第二部分施加有小于/等于内建电压的电压。
7.一种半导体光放大器，其包括：
层叠结构，其中依次层叠有具有第一导电类型并且由GaN化合物半导体构成的第一化合物半导体层、具有由GaN化合物半导体构成的光放大区的第三化合物半导体层、以及具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型并且由GaN化合物半导体构成的第二化合物半导体层；
第二电极，其形成于所述第二化合物半导体层上；和
第一电极，其电连接于所述第一化合物半导体层，
其中，所述层叠结构具有脊状条纹结构，
当在光出射端面中的所述脊状条纹结构的宽度为Wout，并且在光入射端面中的所述脊状条纹结构的宽度为Win时，满足Wout＞Win，并且
所述第二电极的宽度窄于所述脊状条纹结构的宽度。
8.如权利要求7所述的半导体光放大器，其中，所述第二电极的宽度与所述脊状条纹结构的宽度的比值为0.2～0.9且包括端值。
9.一种半导体光放大器，其包括：
层叠结构，其中依次层叠有具有第一导电类型并且由GaN化合物半导体构成的第一化合物半导体层、具有由GaN化合物半导体构成的光放大区的第三化合物半导体层、以及具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型并且由GaN化合物半导体构成的第二化合物半导体层；
第二电极，其形成于所述第二化合物半导体层上；和
第一电极，其电连接于所述第一化合物半导体层，
其中，所述层叠结构具有脊状条纹结构，
当在光出射端面中的所述脊状条纹结构的宽度为Wout，并且在光入射端面中的所述脊状条纹结构的宽度为Win时，满足Wout＞Win，并且
当所述脊状条纹结构的最大宽度为Wmax时，满足Wmax＞Wout。
10.如权利要求9所述的半导体光放大器，其中，满足0.2≤Wout/Wmax≤0.9。
11.如权利要求9所述的半导体光放大器，其中，从所述光出射端面起，沿所述半导体光放大器的轴线而在所述层叠结构的内部区域中设有载流子非注入区。
12.如权利要求11所述的半导体光放大器，其中，在所述载流子非注入区中未设有所述第二电极。
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