[发明专利]具有三维层叠结构的半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，该方法是一种将多层半导体电路层层叠于支持基板上构成的具有三维层叠结构的半导体器件的制造方法，包括：在构成多层所述半导体电路层中的一层的半导体基板的内部或表面从其表面一侧起形成所要的元件或电路的工序；用第1绝缘膜覆盖形成了所述元件或电路的所述半导体基板的表面的工序；通过使所述第1绝缘膜直接地或通过布线结构间接地与所述支持基板或多层所述半导体电路层中的另一层接合，从而将所述半导体基板固定于所述支持基板或多层所述半导体电路层中的另一层上的工序；在固定于所述支持基板或多层所述半导体电路层中的另一层上的所述半导体基板的内部，从其背面一侧起形成用第2绝缘膜覆盖内壁面的沟槽的工序；以及从所述半导体基板的背面一侧起，向所述沟槽的内部充填导电材料形成导电插头的工序。

主权项

一种半导体器件的制造方法，该方法是一种将多层半导体电路层层叠于支持基板上构成的具有三维层叠结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在构成多层所述半导体电路层中的一层的半导体基板的内部或表面从其表面一侧起形成所要的元件或电路的工序；用第1绝缘膜覆盖形成了所述元件或电路的所述半导体基板的表面的工序；通过使所述第1绝缘膜直接地或通过布线结构间接地与所述支持基板或多层所述半导体电路层中的另一层接合，从而将所述半导体基板固定于所述支持基板或多层所述半导体电路层中的另一层上的工序；在固定于所述支持基板或多层所述半导体电路层中的另一层上的所述半导体基板的内部，从其背面一侧起形成用第2绝缘膜覆盖内壁面的沟槽的工序；以及从所述半导体基板的背面一侧起，向所述沟槽的内部充填导电材料形成导电插头的工序。