[发明专利]具有三维层叠结构的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，该方法是一种将多层半导体电路层层叠于支持基板上构成的具有三维层叠结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在构成多层所述半导体电路层中的一层的半导体基板的内部或表面从其表面一侧起形成所要的元件或电路的工序；

用第1绝缘膜覆盖形成了所述元件或电路的所述半导体基板的表面的工序；

通过使所述第1绝缘膜直接地或通过布线结构间接地与所述支持基板或多层所述半导体电路层中的另一层接合，从而将所述半导体基板固定于所述支持基板或多层所述半导体电路层中的另一层上的工序；

在固定于所述支持基板或多层所述半导体电路层中的另一层上的所述半导体基板的内部，从其背面一侧起形成用第2绝缘膜覆盖内壁面的沟槽的工序；以及

从所述半导体基板的背面一侧起，向所述沟槽的内部充填导电材料形成导电插头的工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

还具备在所述第1绝缘膜或所述布线结构、和所述支持基板或多层所述半导体电路层中的另一层中的至少一方上配置第1电极的工序，将所述半导体基板固定于所述支持基板或多层所述半导体电路层中的另一层上的工序使用所述第1电极进行。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述半导体电路层除所述元件或电路外，还具有形成于所述第1绝缘膜上的布线结构，所述第1电极通过所述布线结构间接地形成于所述第1绝缘膜上。

4.如权利要求2或3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成用所述第2绝缘膜覆盖内壁面的所述沟槽的工序中，从所述半导体基板的里面一侧将该基板选择性地除去，以形成贯穿所述半导体基板的所述沟槽，并且覆盖该沟槽的内壁面的所述第2绝缘膜形成为具有使所述第1电极和所述导电插头之间能电气连接的开口。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第2绝缘膜的所述开口形成于所述沟槽的所述半导体基板表面一侧的端部近旁。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括在露出于所述半导体基板的背面一侧的所述导电插头的端部形成第2电极的工序。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在形成所述第2电极的工序中，通过将另行形成的导电材料片固定于所述导电插头的端部，从而形成所述第2电极。

8.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在形成所述第2电极的工序中，通过将将导电材料直接堆积于所述导电插头的端部，从而形成所述第2电极。

9.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

将露出于所述半导体基板的背面一侧的所述导电插头的端部作为第2电极使用。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板由单一的半导体构件形成。

11.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述半导体基板由多件半导体构件形成。