[发明专利]通过离子注入工艺来控制氧化膜厚度的方法

摘要

本发明为通过离子注入工艺来控制氧化膜厚度的方法。解决了现有技术中先生长一厚氧，然后湿法去除第二种厚度栅氧的区域，接着生长第二种栅氧的工艺方法引起的STI边缘凹陷，进而影响器件性能的问题，本发明提出一种特殊的工艺方法来控制热氧化膜厚度，利用不同能量剂量注入来控制硅片表面厚栅氧化区非晶化的深度，后续一步炉管氧化就可以成长多种厚度的氧化膜。由于本工艺实施过程中没有使用湿法工艺，所以不会出现STI边缘凹陷（divot），而且能同时集成多种厚度的氧化膜。

主权项

一种使用离子注入工艺来控制氧化膜厚度的特殊应用，其特征在于，在硅片上旋涂光刻胶；光刻打开厚氧化膜区域，剩余光刻胶覆盖的为薄氧化膜区域；进行离子注入，使厚氧化膜区域内的硅片表面非晶化；去除光刻胶，露出薄氧化膜区域；在厚氧化膜区域和薄氧化膜区域上同时进行热氧生长，在厚氧化膜区域形成厚栅氧，在薄氧化膜区域形成薄栅氧。