[发明专利]通过离子注入工艺来控制氧化膜厚度的方法

权利要求书

1.一种使用离子注入工艺来控制氧化膜厚度的特殊应用，其特征在于，在硅片上旋涂光刻胶；光刻打开厚氧化膜区域，剩余光刻胶覆盖的为薄氧化膜区域；进行离子注入，使厚氧化膜区域内的硅片表面非晶化；去除光刻胶，露出薄氧化膜区域；在厚氧化膜区域和薄氧化膜区域上同时进行热氧生长，在厚氧化膜区域形成厚栅氧，在薄氧化膜区域形成薄栅氧。

2.根据权利要求1所述的通过离子注入工艺来控制氧化膜厚度的方法，其特征在于，选择硅离子源进行离子注入。

3.根据权利要求1所述的通过离子注入工艺来控制氧化膜厚度的方法，其特征在于，根据厚栅氧的厚度需求控制离子注入的能量和剂量，也就是说控制硅片表面厚氧化膜区域内非晶化的深度，厚栅氧的厚度需求越高，则离子注入的能量和剂量就越大，反之，厚栅氧的厚度需求越低，则离子注入的能量和剂量就越小。

4.根据权利要求1所述的通过离子注入工艺来控制氧化膜厚度的方法，其特征在于，热氧生长的厚度为所需的薄栅氧的厚度。

5.根据权利要求1所述的通过离子注入工艺来控制氧化膜厚度的方法，其特征在于，完成热氧生长后的厚栅氧的厚度与薄栅氧的厚度不同，厚栅氧的厚度超过了薄栅氧的厚度。