[发明专利]超薄硅片的切割方法无效
| 申请号： | 201110183082.4 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102363330A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 李毕武;刘振淮;黄振飞 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超薄硅片的切割方法，包括以下步骤：1)切片机的导轮槽锯为0.28～0.30mm，硅片目标厚度120～160μm，切割线采用固定磨料切割线；2)将处理好的晶体硅棒装入切片机，固定好晶棒位置，预机循环；3)热机结束后，进行硅片切割，其中台速为0.3～0.9mm/min，线速度为0～15m/s，采用双向切割工艺；4)切片过程中使用水性切削液，整个切割过程中，切削液一直循环流动；5)切割结束后，停机、下棒，硅片进行清洗和分选。本发明可以规模化生产120μm～160μm厚度太阳能级硅片，提高硅片的出片率10％以上，大大降低光伏发电的硅成本。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 硅片 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄硅片的切割方法，其特征在于包括以下步骤：1)切片机的导轮槽锯为0.28～0.30mm，硅片目标厚度120～160μm，切割线采用固定磨料切割线；2)将处理好的晶体硅棒装入切片机，固定好晶棒位置，预机循环；3)热机结束后，进行硅片切割，其中台速为0.3～0.9mm/min，线速度为0～15m/s，采用双向切割工艺；4)切片过程中使用水性切削液，整个切割过程中，切削液一直循环流动；5)切割结束后，停机、下棒，硅片进行清洗和分选。
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