[发明专利]超薄硅片的切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅片的切割方法，尤其是一种超薄硅片的切割方法。

背景技术

目前在太阳能级硅片切割中，采用的工艺方法一般是：利用钢线的运动带 动具有切削能力的SiC砂子对硅棒进行磨削，硅棒最终被加工成硅片。

然而传统的切割工艺中，具有切削能力的SiC颗粒是通过具有粘附能力的 PEG粘附在切割钢线表面，由于SiC颗粒在外力情况下可以自由移动，导致在 硅片的不同位置SiC颗粒的不分布不均，这样对于硅片的表面精度控制比较差， 特别是对于160um厚度以下硅片的精度控制无法达到太阳能级硅片标准要求， 切割成功率非常低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提出一种利用多线切割设备切割160μm以下 厚度太阳能级硅片的方法。

本发明所采用的技术方案为：一种超薄硅片的切割方法，包括以下步骤：

1)切片机的导轮槽锯为0.28～0.30mm，硅片目标厚度120～160μm，切割线 采用固定磨料切割线；

2)将处理好的晶体硅棒装入切片机，固定好晶棒位置，预机循环；

3)热机结束后，进行硅片切割，其中台速为0.3～0.9mm/min，线速度为 0～15m/s，采用双向切割工艺；

4)切片过程中使用水性切削液，整个切割过程中，切削液一直循环流动；

5)切割结束后，停机、下棒，硅片进行清洗和分选。

具体的说，所述的步骤1)中固定磨料切割线上的固定磨料为高硬度的BC_X、 BN_X、金刚石或硬度大于硅的材料。固定磨料切割线是在普通钢线上将高硬度的 磨料颗粒电镀或通过树脂涂层固定在基体上，直径范围在0.1mm～0.3mm。固定 磨料切割线在水性切割液体系下完成超薄硅片切割。

需要说明的是，在整个切割过程中，切削液一直循环流动，以起到润滑和 散热作用。

本发明的有益效果是：通过使用固定磨料钢线可以精确控制硅片的精度， 同时调整合适的台线速比，可以规模化生产120μm～160μm厚度太阳能级硅 片，提高硅片的出片率10％以上，大大降低光伏发电的硅成本。

具体实施方式

现在结合实施例对本发明作进一步详细的说明。

一种超薄硅片的切割方法，包括以下步骤：

1)切片机的导轮槽锯为0.29mm，硅片目标厚度140μm，切割线采用固定 磨料切割线；

2)将处理好的晶体硅棒装入切片机，固定好晶棒位置，预机循环；

3)热机结束后，进行硅片切割，其中台速为0.73mm/min，线速度为10m/s， 采用双向切割工艺；

4)切片过程中使用水性切削液，整个切割过程中，切削液一直循环流动；

5)切割结束后，停机、下棒，硅片进行清洗和分选。

硅片合格率达到92％。

以上说明书中描述的只是本发明的具体实施方式，各种举例说明不对本发 明的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以 对以前所述的具体实施方式做修改或变形，而不背离发明的实质和范围。