[发明专利]一种用于半导体晶片键合的键合结构有效
| 申请号： | 201110181756.7 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102244056A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 熊伟平;林桂江;宋明辉;吴志敏;梁兆煊;林志东 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体晶片键合的键合结构，其包括：一接触层，覆盖于待键合的半导体晶片表面上；一第一阻挡层，用于覆盖在接触层表面上，设有一第一绝缘区域和一第一导通区域；一导电层，覆盖于第一阻挡层表面上；一覆盖于所述导电层的第二阻挡层，设有一第二绝缘区域和一第二导通区域，第二导通区域的位置与所述第一导通区域的位置相互错开；键合层，覆盖于所述第二阻挡层表面上。本发明可完全阻挡键合层材料扩散入接触层或半导体晶片，从而完全避免影响接触层与半导体晶片的接触特性、接触层反光特性以及半导体晶片材料特性。同时，本发明还可大为提高键合结构在垂直方向的导电性和导热性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 晶片 结构 | ||
【主权项】：
一种用于半导体晶片键合的键合结构，其包括：一接触层，用于覆盖在待键合的半导体晶片表面上；一第一阻挡层，覆盖在接触层表面上，设有一第一绝缘区域和一第一导通区域；一导电层，覆盖在第一阻挡层表面上；一覆盖于所述导电层的第二阻挡层，设有一第二绝缘区域和一第二导通区域，第二导通区域的位置与所述第一导通区域的位置相互错开； 键合层，覆盖于所述第二阻挡层表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司，未经厦门市三安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110181756.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：Low-k芯片封装结构
- 下一篇：激光测距机检测装置
