[发明专利]一种用于半导体晶片键合的键合结构有效
| 申请号： | 201110181756.7 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102244056A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 熊伟平;林桂江;宋明辉;吴志敏;梁兆煊;林志东 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 晶片 结构 | ||
1.一种用于半导体晶片键合的键合结构，其包括：
一接触层，用于覆盖在待键合的半导体晶片表面上；
一第一阻挡层，覆盖在接触层表面上，设有一第一绝缘区域和一第一导通区域；
一导电层，覆盖在第一阻挡层表面上；
一覆盖于所述导电层的第二阻挡层，设有一第二绝缘区域和一第二导通区域，第二导通区域的位置与所述第一导通区域的位置相互错开；
键合层，覆盖于所述第二阻挡层表面上。
2.根据权利要求1所述的用于半导体晶片键合的键合结构，其特征在于：所述第一导通区域由分布于第一绝缘区域上的系列导通单元构成，该系列导通单元的边缘与第二导通区域边缘之最小距离大于所述键合层材料在所述导电层的横向扩散距离。
3.根据权利要求2所述的用于半导体晶片键合的键合结构，其特征在于：所述第一导通区域由分布于第一绝缘区域上的系列通孔构成。
4.根据权利要求3所述的用于半导体晶片键合的键合结构，其特征在于：所述通孔形状为圆形，直径为10～30微米，通孔中心间距50～200微米。
5.根据权利要求2所述的用于半导体晶片键合的键合结构，其特征在于：所述第二导通区域由分布于第二绝缘区域上的系列通孔构成。
6.根据权利要求2所述的用于半导体晶片键合的键合结构，其特征在于：所述第二绝缘区域由分布于第二导通区域上的系列绝缘柱构成。
7.根据权利要求6所述的用于半导体晶片键合的键合结构，其特征在于：所述绝缘柱为圆柱形，第一导通区域在垂直方向上的投影位于第二绝缘区域在垂直方向上的投影内。
8.根据权利要求1所述的用于半导体晶片键合的键合结构，其特征在于：所述第一绝缘区域和第二绝缘区域的材料选自二氧化硅、氮化硅、氧化铝等材料之一或其组合。
9.根据权利要求1所述的用于半导体晶片键合的键合结构，其特征在于：所述导电层的材料与接触层的材料相同。
10.根据权利要求1所述的用于半导体晶片键合的键合结构，其特征在于：所述第一阻挡层的厚度为10至100纳米。
11.根据权利要求1所述的用于半导体晶片键合的键合结构，其特征在于：所述第二阻挡层的厚度为10至100纳米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司，未经厦门市三安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110181756.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：Low-k芯片封装结构
- 下一篇：激光测距机检测装置
