[发明专利]沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件，包括第一导电类型的半导体区；形成于半导体区的多个沟槽，沟槽内设置场效晶体管的栅极；形成于相邻两个沟槽之间的第二导电类型的两个本体区，两个本体区之间为第一导电类型的半导体区；第一导电类型的两个源区，每个源区形成于本体区的上方；凹槽，凹槽形成于两个源区之间，并延伸至两个本体区之间的半导体区，凹槽内填充金属层，金属层与两个本体区之间的半导体区形成肖特基结构；欧姆接触区，欧姆接触区形成于凹槽的两侧，且形成于本体区和源区的交界处。本发明的肖特基器件为高密度肖特基器件，本发明的方法制备工艺简单，成本低。

主权项

一种沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体区；形成于所述半导体区的多个沟槽，所述沟槽内设置所述场效晶体管的栅极；形成于相邻两个沟槽之间的第二导电类型的两个本体区，所述两个本体区之间为所述第一导电类型的半导体区；第一导电类型的两个源区，每个所述源区形成于所述本体区的上方；凹槽，所述凹槽形成于所述两个源区之间，并延伸至所述两个本体区之间的所述半导体区，所述凹槽内填充金属层，所述金属层与所述两个本体区之间的所述半导体区形成肖特基结构；第二导电类型的欧姆接触区，所述欧姆基接触区形成于所述凹槽的两侧，且形成于所述本体区和所述源区的交界处。