[发明专利]沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110176489.4 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102231386A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 王健 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 场效应 晶体管 势垒肖特基 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件，其特征在于，包括：
第一导电类型的半导体区；
形成于所述半导体区的多个沟槽，所述沟槽内设置所述场效晶体管的栅极；
形成于相邻两个沟槽之间的第二导电类型的两个本体区，所述两个本体区之间为所述第一导电类型的半导体区；
第一导电类型的两个源区，每个所述源区形成于所述本体区的上方；
凹槽，所述凹槽形成于所述两个源区之间，并延伸至所述两个本体区之间的所述半导体区，所述凹槽内填充金属层，所述金属层与所述两个本体区之间的所述半导体区形成肖特基结构；
第二导电类型的欧姆接触区，所述欧姆基接触区形成于所述凹槽的两侧，且形成于所述本体区和所述源区的交界处。
2.如权利要求1所述的沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件，其特征在于，所述半导体区为N型半导体区。
3.如权利要求1所述的沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件，其特征在于，所述本体区为P-型半导体区。
4.如权利要求1所述的沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件，其特征在于，所述源区为N+型半导体区。
5.如权利要求1所述的沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件，其特征在于，所述欧姆接触区为P+型半导体区。
6.一种沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在第一导电类型的半导体区形成多个沟槽；
相邻两个沟槽之间形成光阻层，对所述半导体区进行体注入，相邻两个沟槽之间形成第二导电类型的两个本体区；
在所述本体区的上方形成两个第一导电类型的源区；
在两个源区之间形成凹槽，所述凹槽延伸至所述两个本体区之间的所述半导体区；
利用所述凹槽，旋转离子注入角度，在所述凹槽的两侧、所述本体区和所述源区的交界处形成欧姆接触区；
在所述凹槽内形成金属层，所述金属层与所述两个本体区之间的所述半导体区形成肖特基结构。
7.如权利要求6所述的沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件的制备方法，其特征在于，所述半导体区为N型半导体区。
8.如权利要求6所述的沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件的制备方法，其特征在于，所述本体区为P-型半导体区。
9.如权利要求6所述的沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件的制备方法，其特征在于，所述源区为N+型半导体区。
10.如权利要求6所述的沟槽式场效应晶体管势垒肖特基器件的制备方法，其特征在于，所述欧姆接触区为P+型半导体区。
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