[发明专利]n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器及制备方法

摘要

本发明公开了n型掺杂ZnS准一维纳米结构光电导型紫外探测器及制备方法，其特征是紫外探测器自上而下依次由叉指电极，n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜和绝缘衬底迭置而成。本发明紫外探测器以n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜为紫外敏感层，使其只对小于335nm波长光敏感，利用透明叉指电极和纳米结构薄膜增强了受光面积，提高了紫外光响应度，同时使用ZnS做为光敏材料，环保可靠。本发明结构简单，灵敏度高，成本低，易于实现。

主权项

一种n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器，其特征是所述紫外探测器自上而下依次由叉指电极(1)，n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜(2)和绝缘衬底(3)迭置而成。