[发明专利]n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器及制备方法

权利要求书

1.一种n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器，其特征是所述紫外探测器自上而下依次由叉指电极(1)，n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜(2)和绝缘衬底(3)迭置而成。

2.根据权利要求1所述的n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器，其特征是所述叉指电极(1)为ITO电极或AZO电极。

3.根据权利要求1或2所述的n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器，其特征所述叉指电极(1)的宽度为10μm-100μm，厚度为50nm-200nm，叉指电极(1)相邻电极之间的间距为5μm-100μm。

4.根据权利要求1所述的n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器，其特征是所述n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜(2)中的n型掺杂ZnS是指Cl、Al、Ga或In掺杂ZnS。

5.根据权利要求1所述的n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器，其特征是所述绝缘衬底(3)为石英玻璃、或为表面长有氧化硅的硅片、或为表面镀有氮化硅的硅片。

6.一种权利要求1所述的n型掺杂ZnS准一维纳米结构薄膜光电导型紫外探测器的制备方法，其特征在于按如下步骤进行：

a、用酒精或丙酮挥发性溶剂为分散液，将n型掺杂ZnS准一维纳米材料加入分散液中，超声震荡使n型掺杂ZnS准一维纳米材料均匀悬浮在分散液中；

b、将含有n型掺杂ZnS准一维纳米材料的分散液旋涂在绝缘衬底(3)上，经挥发形成ZnS纳米结构薄膜(2)；

c、利用光刻方法在涂有ZnS纳米结构薄膜(2)的衬底上光刻出叉指电极(1)的图形；

d、通过磁控溅射或脉冲激光沉积方法在叉指电极(1)的图形上制备形成叉指电极(1)。