[发明专利]一种制备全氟磺酸离子交换膜的方法有效
申请号: | 201110173854.6 | 申请日: | 2011-06-24 |
公开(公告)号: | CN102336924A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 薛立新;陶慷;赵秀兰;聂锋;陈景 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C08J9/40 | 分类号: | C08J9/40;C08J7/12;C08J7/14;C08J7/18;C08L27/18;C08L27/20 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备全氟磺酸离子交换膜的方法,利用低温等离子体方法引发含氟磺酰氟基化合物或者含氟磺酸(盐)在全氟聚合物膜进行原位接枝改性,然后经过加碱水解和/或H+离子交换得到全氟磺酸离子交换膜。本发明的制备方法具有操作方便、工艺简单、加工速度快、处理效果好、成本低、以及不易引起环境污染等优点,能够应用于氯碱工业、新能源电池、其它各种电解制备装置、电渗析、化学催化、气体分离、气体干燥、污水处理、海水淡化等领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 全氟磺酸 离子交换 方法 | ||
【主权项】:
一种制备全氟磺酸离子交换膜的方法,其特征是:利用低温等离子体引发含氟磺酰氟基化合物在全氟聚合物多孔膜进行原位接枝改性,然后经过加碱水解和离子交换得到H+全氟磺酸离子交换膜,所述的含氟磺酰氟基化合物的分子式为CF2=CFRFSO2F或者IRFSO2F,其中RF为全氟烷基或者全氟醚基的链式结构;或者利用低温等离子体引发含氟磺酸或者含氟磺酸盐在全氟聚合物多孔膜进行原位接枝改性,然后经过离子交换得到全氟磺酸离子交换膜,所述的含氟磺酸或者含氟磺酸盐的分子式为CF2=CFRFSO3M或者IRFSO3M,其中RF指代RF为全氟烷基或者全氟醚基的链式结构,M为H+或金属离子。
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