[发明专利]功率金属氧化物场效应管的形成方法有效
| 申请号： | 201110172460.9 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102222614A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 纪登峰;刘玮荪 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种功率金属氧化物场效应管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和与所述第一区域分立的第二区域，所述第一区域的线宽大于第二区域的线宽，所述第一区域的基底表面形成有第一绝缘层，所述第二区域的基底表面形成有第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层表面形成有电极层、所述电极层表面形成有研磨阻挡层；执行第一研磨，去除部分所述第一区域的研磨阻挡层并暴露出所述第二区域的电极层；在所述第一研磨后，执行第二研磨，暴露出所述第一区域的研磨阻挡层和所述第二区域的第二绝缘层。本发明实施例的形成方法有效提高了功率金属氧化物场效应管的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种功率金属氧化物场效应管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和与所述第一区域分立的第二区域，所述第一区域的线宽大于第二区域的线宽，所述第一区域的基底表面形成有第一绝缘层，所述第二区域的基底表面形成有第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层表面形成有电极层、所述电极层表面形成有研磨阻挡层；其特征在于，还包括：执行第一研磨，去除部分所述第一区域的研磨阻挡层并暴露出所述第二区域的电极层；在所述第一研磨后，执行第二研磨，去除部分所述第一区域的研磨阻挡层并暴露出所述第二区域的第二绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
