[发明专利]氮化镓衬底材料的制造方法无效
| 申请号： | 201110171022.0 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102222738A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张汝京 | 申请（专利权）人： | 西安神光安瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 710100 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓衬底材料的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成第一缓冲层；刻蚀所述第一缓冲层，使所述第一缓冲层表面形成多个凹槽；形成第二缓冲层，所述第二缓冲层覆盖所述第一缓冲层具有凹槽一侧的表面，使得所述凹槽内的第二缓冲层中形成有空洞；在所述第二缓冲层上形成氮化镓层；去除所述衬底、第一缓冲层和第二缓冲层。由于所述空洞的存在，从而降低了氮化镓层的位错密度，释放了氮化镓层中的应力，由此可形成缺陷较少的氮化镓层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 衬底 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成第一缓冲层；刻蚀所述第一缓冲层，使所述第一缓冲层表面形成多个凹槽；形成第二缓冲层，所述第二缓冲层覆盖所述第一缓冲层具有凹槽一侧的表面，使得所述凹槽内的第二缓冲层中形成有空洞；在所述第二缓冲层上形成氮化镓层；去除所述衬底、第一缓冲层和第二缓冲层。
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