[发明专利]氮化镓衬底材料的制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成第一缓冲层；

刻蚀所述第一缓冲层，使所述第一缓冲层表面形成多个凹槽；

形成第二缓冲层，所述第二缓冲层覆盖所述第一缓冲层具有凹槽一侧的表面，使得所述凹槽内的第二缓冲层中形成有空洞；

在所述第二缓冲层上形成氮化镓层；

去除所述衬底、第一缓冲层和第二缓冲层。

2.如权利要求1所述的氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，所述凹槽的高宽比大于或等于1.2∶1。

3.如权利要求1或2所述的氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，采用无掩膜感应耦合等离子反应刻蚀的方式刻蚀所述第一缓冲层。

4.如权利要求3所述的氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，刻蚀所述第一缓冲层的步骤中，刻蚀气体为三氯化硼和氯的混合物，腔室气压为5～100mTorr，底板功率为200～400W，线圈功率为100～200W。

5.如权利要求1或2所述的氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，利用金属有机化合物化学气相沉积的方式在所述衬底上形成第一缓冲层。

6.如权利要求5所述的氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，形成第一缓冲层的步骤中，腔室压力为100～600Torr，温度为500～800℃。

7.如权利要求1或2所述的氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，利用金属有机化合物化学气相沉积的方式形成第二缓冲层。

8.如权利要求7所述的氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，形成第二缓冲层的步骤中，腔室压力为100～1000mTorr，温度为800～1000℃。

9.如权利要求1或2所述的氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，利用金属有机化合物化学气相沉积的方式在所述第二缓冲层上形成氮化镓层。

10.如权利要求9所述的氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，形成所述氮化镓层的步骤中，腔室压力为400～760Torr，温度为800～1400℃。

11.如权利要求1所述的氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，所述衬底的材质为蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、砷化镓或尖晶石。

12.如权利要求1所述的氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，去除所述衬底、第一缓冲层和第二缓冲层的步骤包括：

利用激光剥离或湿法刻蚀的方式去除所述衬底；以及

利用研磨的方式去除第一缓冲层和第二缓冲层。

13.如权利要求12所述的氮化镓衬底材料的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液体为硫酸和磷酸的混合液。