[发明专利]半导体气敏传感器的定向纳米纤维化三维立体叉指电极的制作方法有效

专利信息
申请号: 201110170715.8 申请日: 2011-06-23
公开(公告)号: CN102269724A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 刘红忠;丁玉成;陈邦道;郑杰;卢秉恒 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及半导体气敏传感器技术,公开了一种半导体气敏传感器的定向纳米纤维化三维立体叉指电极的制作方法。该方法首先采用传统光刻工艺,将叉指电极图形转移到光刻胶层上,再以该光刻胶层为掩膜,干法刻蚀单晶硅基底,制作出定向纳米纤维,然后再通过磁控溅射工艺在其表面溅射一层Pt,作为导电层,最后化学法剥离光刻胶层,得到气敏传感器的定向纳米纤维化三维立体叉指电极。该定向纳米纤维化三维立体叉指电极,与传统的平板叉指电极相比,高比表面积的硅纳米纤维,可以在不减少叉指对数的条件下,有效地增大电极的表面积,从而有效地提高敏感电极的灵敏度,解决了传统平板叉指电极的叉指对数和表面积之间的矛盾关系。
搜索关键词: 半导体 传感器 定向 纳米 纤维化 三维立体 电极 制作方法
【主权项】:
一种半导体气敏传感器的定向纳米纤维化三维立体叉指电极的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在单晶硅基底上涂敷光刻胶形成光刻胶层;2)按所需制备的叉指电极的参数要求制作叉指电极掩膜板,并以该叉指电极掩膜板为掩护,利用传统光刻工艺,刻蚀光刻胶层,得到光刻胶叉指电极;3)对光刻过带有光刻胶叉指电极的单晶硅基底进行干法刻蚀,在单晶硅基底上得到定向的纳米纤维;4)利用磁控溅射工艺在其表面溅射一层Pt金属层,作为导电电极;5)最后采用化学剥离技术剥离单晶硅表面的光刻胶层,得到半导体气敏传感器的定向纳米纤维化三维立体叉指电极。
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