[发明专利]半导体气敏传感器的定向纳米纤维化三维立体叉指电极的制作方法

权利要求书

1.一种半导体气敏传感器的定向纳米纤维化三维立体叉指电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在单晶硅基底上涂敷光刻胶形成光刻胶层；

2)按所需制备的叉指电极的参数要求制作叉指电极掩膜板，并以该叉指电极掩膜板为掩护，利用传统光刻工艺，刻蚀光刻胶层，得到光刻胶叉指电极；

3)对光刻过带有光刻胶叉指电极的单晶硅基底进行干法刻蚀，在单晶硅基底上得到定向的纳米纤维；

4)利用磁控溅射工艺在其表面溅射一层Pt金属层，作为导电电极；

5)最后采用化学剥离技术剥离单晶硅表面的光刻胶层，得到半导体气敏传感器的定向纳米纤维化三维立体叉指电极。

2.根据权利要求1所述的半导体气敏传感器的定向纳米纤维化三维立体叉指电极的制作方法，其特征在于：所述步骤3)的干法刻蚀采用C₄F₈：180sccm(毫升每分)，时间：10s；SF₆：100sccm(毫升每分)，时间：7s的刻蚀参数，得到定向纳米纤维。

3.根据权利要求1所述的半导体气敏传感器的定向纳米纤维化三维立体叉指电极的制作方法，其特征在于：所述步骤4)的磁控溅射工艺，是先溅射5-10nm的Ti层作为过渡层，再溅射100nm的Pt层作为电极层。

4.根据权利要求1所述的半导体气敏传感器的定向纳米纤维化三维立体叉指电极的制作方法，其特征在于：所述步骤5)采用化学剥离技术去除单晶硅基底上的光刻胶层采用有机溶剂丙酮溶解并洗掉光刻胶。