[发明专利]被硼和氮代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管有效
| 申请号： | 201110164676.0 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102285660A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李晟熏;徐顺爱;禹轮成;郑现钟;许镇盛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C01B35/00 | 分类号： | C01B35/00;H01L29/167 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。 | ||
| 搜索关键词： | 代替 石墨 制造 方法 具有 晶体管 | ||
【主权项】：
石墨烯，包括：碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构，其中所述石墨烯具有带隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110164676.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
