[发明专利]被硼和氮代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管有效
| 申请号： | 201110164676.0 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102285660A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李晟熏;徐顺爱;禹轮成;郑现钟;许镇盛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C01B35/00 | 分类号： | C01B35/00;H01L29/167 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 代替 石墨 制造 方法 具有 晶体管 | ||
1.石墨烯，包括：
碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构，其中所述石墨烯具有带隙。
2.权利要求1的石墨烯，其中所述B原子和N原子代替所述石墨烯的C原子的1％～20％。
3.权利要求1的石墨烯，其中所述B原子和N原子的密度之间的差低于1013cm-2。
4.权利要求3的石墨烯，其中所述B原子和N原子以相同的比例存在于所述石墨烯中。
5.权利要求4的石墨烯，其中所述石墨烯的C原子被至少一个具有所述B原子之一和所述N原子之一的二聚体或者至少一个具有所述B原子中的三个和所述N原子中的三个的六边形结构部分地代替。
6.晶体管，包括：
由根据权利要求1的石墨烯形成的沟道。
7.权利要求6的晶体管，其中所述B原子和N原子代替所述石墨烯的C原子的1％～20％。
8.权利要求6的晶体管，其中所述B原子和N原子的密度之间的差低于1013cm-2。
9.权利要求8的晶体管，其中所述B原子和N原子以相同的比例存在于所述石墨烯中。
10.权利要求9的晶体管，其中所述石墨烯的C原子被至少一个具有所述B原子之一和所述N原子之一的二聚体或者至少一个具有所述B原子中的三个和所述N原子中的三个的六边形结构部分地代替。
11.制造被硼和氮代替的石墨烯的方法，包括：
通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为B-N前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成根据权利要求1的石墨烯。
12.权利要求11的方法，其中所述B原子和N原子代替所述石墨烯的C原子的1％～20％。
13.权利要求11的方法，其中所述B原子和N原子以相同的比例存在于所述石墨烯中。
14.权利要求13的方法，其中所述B-N前体为具有所述B原子之一和所述N原子之一的二聚体或具有所述B原子中的三个和所述N原子中的三个的六边形结构。
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