[发明专利]一种小线宽沟道的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201110164570.0 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102222770A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 黄永安;尹周平;王小梅;易海涛 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;D01D5/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于有机薄膜晶体管的小沟道的制备方法，包括(1)在有机薄膜晶体管器件的有机半导体层的沟道区印刷一条有机水溶性材料纤维；(2)待纤维固化后，将疏水性电极材料溶液对准纤维进行沉积，从而在纤维两侧形成电极图案，作为有机薄膜晶体管的源极和漏极；(3)电极图案固化后，放入水或水性溶剂中，使所述有机水溶性材料纤维将溶于水，即可在有机半导体层的沟道区形成宽度与所述纤维直径相同的沟道。本发明还提供了上述方法在制备有机薄膜晶体管(OTFT)。本发明的方法可以用来制造薄膜晶体管源极和漏极之间的小线宽沟道，可实现亚微米/纳米尺度的沟道宽度，极大地提高了OTFT器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 小线宽 沟道 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种用于有机薄膜晶体管的小线宽沟道的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)印刷纤维条在有机薄膜晶体管器件的有机半导体层的沟道区印刷一条有机水溶性材料纤维；(2)印刷电极待纤维固化后，将疏水性电极材料溶液对准纤维进行沉积，从而在纤维两侧形成电极图案，作为有机薄膜晶体管的源极和漏极；(3)形成沟道电极图案固化后，放入水或水性溶剂中，使所述有机水溶性材料纤维溶解，即可在有机半导体层的沟道区形成宽度与所述纤维直径相同的沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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