[发明专利]一种小线宽沟道的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种用于有机薄膜晶体管的小线宽沟道的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)印刷纤维条

在有机薄膜晶体管器件的有机半导体层的沟道区印刷一条有机水溶性材料纤维；

(2)印刷电极

待纤维固化后，将疏水性电极材料溶液对准纤维进行沉积，从而在纤维两侧形成电极图案，作为有机薄膜晶体管的源极和漏极；

(3)形成沟道

电极图案固化后，放入水或水性溶剂中，使所述有机水溶性材料纤维溶解，即可在有机半导体层的沟道区形成宽度与所述纤维直径相同的沟道。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，采用水溶性有机材料溶液作为墨液，通过静电纺丝工艺完成纤维条的印刷。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述水溶性有机材料溶液与有机半导体层的润湿角约为90°。

4.根据权利要求1-3之一所述的制备方法，其特征在于，所述纤维不被电极溶液润湿。

5.根据权利要求1-4之一所述的制备方法，其特征在于，所述的有机水溶性材料为PVP或PEO。

6.根据权利要求1-5之一所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，还包括对形成的源极和漏极进行烧结处理。

7.根据权利要求1-6之一所述的制备方法，其特征在于，所述纤维条的线宽为50nm～1μm。

8.根据权利要求1-7之一所述的制备方法，其特征在于，所述疏水性电极材料为碳纳米管CNT或纳米金属材料。

9.一种有机薄膜晶体管(OTFT)的制备方法，包括如下过程：

(1)选取基底，其中基底材料不溶于水或水性溶剂；

(2)在基底上制备有机薄膜晶体管(OTFT)的栅极、有机绝缘层和有机半导体层，其中，所述栅极、有机绝缘层和有机半导体层材料都不溶于水或水性溶剂；

(3)利用权利要求1-8之一所述的制备方法在所述有机半导体层上制备小线宽沟道；

通过上述过程即可制备形成有机薄膜晶体管(OTFT)。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述基底材料为聚酰亚胺薄膜(PI)或聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(PET)。