[发明专利]一种ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201110163518.3 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102260907A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;杨晓朋;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B25/14;C30B29/16;C30B29/62;C23C14/08;H01L21/36 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法，先在衬底上沉积一层（002）取向的ZnO薄膜；然后将Zn粉、ZnO粉、石墨和掺杂源混合作为源材料，放入一端开口的石英舟的密闭端一侧，将衬底置于石英舟的开口端一侧，石英舟放在水平管式炉反应室中，石英舟开口端处于气流的下方向，反应室抽真空，源材料加热到550～650℃，向反应室通入Ar或N2为载气，O2为反应气体，保温生长下层ZnO纳米棒阵列；停止通入气体，继续升温至850～950℃，通入载气和O2，保温生长上层ZnO纳米棒阵列，形成ZnO纳米同质p-n结阵列。本发明方法仅由一次升温过程完成，简单易行，可实现不同掺杂的ZnO纳米同质p-n结阵列，同质结高度一致，性能优异，尺寸均一，分布均匀，有利于提高ZnO纳米器件的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 同质 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO纳米同质p‑n结阵列的制备方法，其特征在于该ZnO纳米同质结阵列包括衬底（10），在衬底上自下而上依次有ZnO薄膜（9），下层ZnO纳米棒阵列（8）和上层ZnO纳米棒阵列（7），制备步骤如下：1）在衬底上沉积一层（002）取向的ZnO薄膜；2）将纯Zn粉、纯ZnO粉、纯石墨和掺杂源按质量比1:2:1:0～0.3混合作为源材料，放入一端开口的石英舟的密闭端一侧，将衬底置于石英舟的开口端一侧，石英舟放置在水平管式炉反应室中，石英舟开口端处于气流的下方向，反应室真空度抽至低于10Pa，源材料加热到550～650℃，向反应室通入Ar或N2为载气，O2为反应气体，载气与O2的流量比为100:1.5～100:3.5，保温，生长下层ZnO纳米棒阵列；停止通入气体，继续升温至850～950℃，以100:0.5～100:1.5的流量比通入载气和O2，保温，生长上层ZnO纳米棒阵列，形成ZnO纳米同质p‑n结阵列。
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