[发明专利]发光组件的制造方法有效
| 申请号： | 201110162922.9 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102832296A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 马少崑;郭宗泰;赖韩棕;李宜青;金明达 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一发光组件的制作方法，包含：提供一基板；形成一第一布拉格反射结构在该基板之上；形成一第二布拉格反射结构于第一布拉格反射结构之上；形成一发光结构于第二布拉格反射结构之上；形成一窗户层于发光结构之上；形成一电流散布层于窗户层之上；提供一湿氧制程系统；分别形成一氧化区域于第一布拉格反射结构与第二布拉格反射结构，其中氧化区域是在湿氧制程系统中反应而成；及形成一电极于电流散布层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光组件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一基板；形成一第一布拉格反射结构位于该基板之上，其中所述第一布拉格反射结构由多个第一容易氧化半导体层与多个第二不易氧化半导体层交互堆栈所形成；形成一第二布拉格反射结构位于所述第一布拉格反射结构之上，其中所述第二布拉格反射结构由多个第三容易氧化半导体层与多个第四不易氧化半导体层交互堆栈所形成；形成一发光结构位于所述第二布拉格反射结构之上；形成一窗户层位于所述发光结构之上； 形成一电流散布层位于所述窗户层之上；进行一湿氧制程，以使所述第一布拉格反射结构与所述第二布拉格反射结构形成一氧化区域；形成一电极于所述电流散布层之上。
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