[发明专利]发光组件的制造方法有效
| 申请号： | 201110162922.9 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102832296A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 马少崑;郭宗泰;赖韩棕;李宜青;金明达 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 组件 制造 方法 | ||
1.一种发光组件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一基板；形成一第一布拉格反射结构位于该基板之上，其中所述第一布拉格反射结构由多个第一容易氧化半导体层与多个第二不易氧化半导体层交互堆栈所形成；形成一第二布拉格反射结构位于所述第一布拉格反射结构之上，其中所述第二布拉格反射结构由多个第三容易氧化半导体层与多个第四不易氧化半导体层交互堆栈所形成；形成一发光结构位于所述第二布拉格反射结构之上；形成一窗户层位于所述发光结构之上； 形成一电流散布层位于所述窗户层之上；进行一湿氧制程，以使所述第一布拉格反射结构与所述第二布拉格反射结构形成一氧化区域；形成一电极于所述电流散布层之上。
2.如权利要求1所述发光组件的制造方法，其特征在于，形成所述一氧化区域于所述第一布拉格反射结构的多个第一容易氧化半导体层。
3.如权利要求1所述发光组件的制造方法，其特征在于，形成所述一氧化区域于所述第二布拉格反射结构的多个第三容易氧化半导体层。
4. 如权利要求1所述发光组件的制造方法，其特征在于，形成所述第一布拉格反射结构的第一容易氧化半导体层/第二不易氧化半导体层依序由高铝含量砷化铝镓(AlGaAs)/低铝含量磷化铝镓铟(AlGaInP)，高铝含量砷化铝镓(AlGaAs)/低铝含量砷化铝镓(AlGaAs)，高铝含量磷化铝铟(AlInP)/低铝含量磷化铝镓铟(AlGaInP)，高铝含量砷化铝(AlAs)/低铝含量磷化铝镓铟(AlGaInP)，或高铝含量砷化铝(AlAs)/低铝含量砷化铝镓(AlGaAs)交互堆栈所组成，及/或所述第二布拉格反射结构的第三容易氧化半导体层/第四不易氧化半导体层依序由高铝含量砷化铝镓(AlGaAs)/低铝含量磷化铝镓铟(AlGaInP)，高铝含量砷化铝镓(AlGaAs)/低铝含量砷化铝镓(AlGaAs)，高铝含量磷化铝铟(AlInP)/低铝含量磷化铝镓铟(AlGaInP)，高铝含量砷化铝(AlAs)/低铝含量磷化铝镓铟(AlGaInP)，或高铝含量砷化铝(AlAs)/低铝含量砷化铝镓(AlGaAs)交互堆栈所组成。
5. 如权利要求4所述发光组件的制造方法，其特征在于，高铝含量化合物中的铝含量大于0.6。
6. 如权利要求1所述发光组件的制造方法，其特征在于，形成所述第二布拉格反射结构所组成材料和形成所述第一布拉格反射结构所组成材料不同。
7. 如权利要求1所述发光组件的制造方法，其特征在于，所述湿氧制程温度为300~800℃。
8. 如权利要求7所述发光组件的制造方法，其特征在于，湿氧制程是在具有水蒸气的环境下进行。
9. 如权利要求1所述发光组件的制造方法，其特征在于，所述氧化区域为一绝缘层。
10. 如权利要求1所述发光组件的制造方法，其特征在于，所述氧化区域为氧化铝。
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