[发明专利]定向凝固法生长硅晶体时控制坩埚底面结晶成核的方法无效
| 申请号： | 201110162568.X | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102191536A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李乔;马远 | 申请（专利权）人： | 浙江碧晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 312300 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种定向凝固法生长硅晶体时控制坩埚底面结晶成核的方法，在硅原料熔化形成硅熔液之时或之前，将隔离物质放置在坩埚内，在硅熔点以上的温度下，隔离物质熔化后以液态的形式沉淀在坩埚底部，实现硅熔液与坩埚底部相互隔离，以控制坩埚底面的结晶成核；所述的隔离物质为熔点低于硅、密度大于硅、且在1000～2000℃下与硅不反应且不互溶的物质。采用本发明方法可有效减少坩埚底面的结晶核数量，有利于生长大结晶颗粒的多晶硅铸锭或者单晶硅。本发明无需改变现有定向凝固炉和石英坩埚的结构，即可提高硅晶体产品的质量。将本发明应用到生产中的改进成本低，效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 定向 凝固 生长 晶体 控制 坩埚 底面 结晶 成核 方法 | ||
【主权项】：
一种定向凝固法生长硅晶体时控制坩埚底面结晶成核的方法，其特征在于：在硅原料熔化形成硅熔液之时或之前，将隔离物质放置在坩埚内，在硅熔点以上的温度下，隔离物质熔化后以液态的形式沉淀在坩埚底部，实现硅熔液与坩埚底部相互隔离，以控制坩埚底面的结晶成核；所述的隔离物质为熔点低于硅、密度大于硅、且在1000～2000℃下与硅不反应且不互溶的物质。
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