[发明专利]定向凝固法生长硅晶体时控制坩埚底面结晶成核的方法无效
| 申请号： | 201110162568.X | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102191536A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李乔;马远 | 申请（专利权）人： | 浙江碧晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 312300 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 定向 凝固 生长 晶体 控制 坩埚 底面 结晶 成核 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种定向凝固法生长硅晶体时控制坩埚底面结晶成核的方法，其特征在于：在硅原料熔化形成硅熔液之时或之前，将隔离物质放置在坩埚内，在硅熔点以上的温度下，隔离物质熔化后以液态的形式沉淀在坩埚底部，实现硅熔液与坩埚底部相互隔离，以控制坩埚底面的结晶成核；所述的隔离物质为熔点低于硅、密度大于硅、且在1000～2000℃下与硅不反应且不互溶的物质。
2.如权利要求1所述的定向凝固法生长硅晶体时控制坩埚底面结晶成核的方法，其特征在于：所述的隔离物质为锗、锡、铅、钡中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的定向凝固法生长硅晶体时控制坩埚底面结晶成核的方法，其特征在于：所述的隔离物质为CaF2、CaCl2、BaF2、BaCl2中的一种或多种。
4.如权利要求1～3任一所述的定向凝固法生长硅晶体时控制坩埚底面结晶成核的方法，其特征在于：所述的坩埚为表面喷涂有氮化硅的石英坩埚。
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