[发明专利]基于碲化镉的薄膜光伏器件使用的硫化镉层及其制造方法

摘要

本发明为基于碲化镉的薄膜光伏器件使用的硫化镉层及其制造方法。提供了碲化镉薄膜光伏器件10。器件10能包括衬底12，衬底12上的透明传导氧化层14；透明传导氧化层14上的电阻透明缓冲层16；电阻透明缓冲层16上的硫化镉层18；硫化镉层18上的碲化镉层20；以及，碲化镉层20上的背接触层22。硫化镉层18能包括大于0％到约20％的摩尔百分比中的氧。在一个具体实施例中，基本没有氧的第二硫化镉层19能位于硫化镉层18和碲化镉层20之间。本发明还提供了在衬底12上沉积硫化镉层18的方法和制造碲化镉薄膜光伏器件10的方法。

主权项

一种碲化镉薄膜光伏器件(10)，包括：衬底(12)；透明传导氧化层(14)，在所述衬底(12)上；硫化镉层(18)，在所述透明传导氧化层(14)上，其中，所述硫化镉层(18)包括在大于0％到约20％的摩尔百分比中的氧；碲化镉层(20)，在所述硫化镉层(18)上；以及，背接触层(22)，在所述碲化镉层(20)上。