[发明专利]发光二极管与其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110157579.9 申请日: 2011-06-13
公开(公告)号: CN102299215A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 陈达军 申请(专利权)人: 协鑫光电科技(张家港)有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;姜精斌
地址: 215600 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种发光二极管与其制造方法,其中所述发光二极管包含一个芯片上形成一个平台凹区,且荧光粉材料填置于平台凹区内可受芯片所发出的光线激发而发出色光,进而与芯片所发出的光线产生混合。所述制造方法是在一衬底上藉外延方式生长外延层;再藉半导体制程在外延层上作出多个芯片结构体,再以蚀刻方式于每一个芯片结构体上制作出一个平台凹区及二个电极;以切割制程对每一个芯片结构体进行切割以获取独立的芯片;固晶后对每一个芯片上的二个电极进行打线以分别连接导线;再将荧光粉材填置于已连接有导线的芯片的平台凹区内。如此可获致精简的结构,且达到混合光色更均匀,及可藉此减少产生光斑或色圈。
搜索关键词: 发光二极管 与其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管,其特征在于,包括:一个发出光线的芯片,其具有一个第一半导体材料层及一个第二半导体材料层,且一侧为出光侧,另一侧为底侧;一个平台凹区,形成在所述芯片上,且自出光侧延伸朝向底侧;荧光粉材料,填置于所述平台凹区内且受芯片所发出的光线激发而发出色光,进而与芯片所发出的光线产生混合。
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