[发明专利]发光二极管与其制造方法无效
| 申请号： | 201110157579.9 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102299215A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 陈达军 | 申请（专利权）人： | 协鑫光电科技（张家港）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;姜精斌 |
| 地址： | 215600 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 与其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
一个发出光线的芯片，其具有一个第一半导体材料层及一个第二半导体材料层，且一侧为出光侧，另一侧为底侧；
一个平台凹区，形成在所述芯片上，且自出光侧延伸朝向底侧；
荧光粉材料，填置于所述平台凹区内且受芯片所发出的光线激发而发出色光，进而与芯片所发出的光线产生混合。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一半导体材料层为P型GaN半导体材料层，所述第二半导体材料层为N型GaN半导体材料层。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包含一个第一电极与一个第二电极，其中所述第一电极形成在所述第一半导体材料层上，且电性相连所述第一半导体材料层，以及位于所述平台凹区内；所述第二电极，其形成在所述第二半导体材料层上，且电性相连所述第二半导体材料层，以及位于所述平台凹区内。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：还包含二条导线，是分别电性连接所述第一电极及所述第二电极。
5.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：
步骤a，在一衬底上藉外延方式生长外延层；
步骤b，藉半导体制程在外延层上作出多个芯片结构体；且再以蚀刻方式于每一个芯片结构体上制作出一个平台凹区及二个电极；
步骤c，以切割制程对每一个芯片结构体进行切割以获取独立的芯片；
步骤d，对每一个芯片上的二个电极进行打线以分别连接导线；
步骤e，将荧光粉材填置于已连接有导线的芯片的平台凹区内。
6.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤e中所述荧光粉材料是覆盖二个电极及固定二条导线。
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