[发明专利]用于形成硅通孔的方法有效
| 申请号： | 201110157222.0 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102832161A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 李凡;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于形成硅通孔的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底；对衬底进行刻蚀，以形成凹槽；在所述凹槽中填充牺牲材料层；回蚀刻所述牺牲材料层，并在所述凹槽上部沉积多晶硅层；对所述衬底的背面进行抛光，用以暴露出凹槽；剥离所述凹槽中的牺牲材料层；在凹槽中沉积金属材料层，并使其与所述多晶硅层反应形成金属硅化物；在凹槽中填充导电材料以形成所述硅通孔。根据本发明的用于形成硅通孔的方法，能够有效克服在硅通孔凹槽中填充金属材料时发生的污染，又能够在之后的工艺中防止残留不必要的材料以及克服可能在硅通孔中形成粗糙的硅化物表面的影响，并且能够提高硅通孔金属接口的性能，从而提高制造半导体器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 硅通孔 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成硅通孔的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底；对所述衬底进行刻蚀，以形成凹槽；在所述凹槽中填充牺牲材料层；回蚀刻所述牺牲材料层，并在所述凹槽上部沉积多晶硅层；对所述衬底的背面进行抛光，用以暴露出凹槽；剥离所述凹槽中的牺牲材料层；在凹槽中沉积金属材料层，并使其与所述多晶硅层反应形成金属硅化物；在凹槽中填充导电材料以形成所述硅通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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