[发明专利]功率放大器

摘要

本发明涉及能够在不增加芯片面积和成本的情况下抑制漏电流的功率放大器。偏置电路（B1、B2）基于从参考电压产生电路（VG）供给的参考电压生成偏置电压，对放大晶体管（A1、A2）供给偏置电压。变换器（INV）对使能电压进行升压并输出。参考电压产生电路（VG）根据变换器（INV）的输出电压进行接通（ON）或断开（OFF）。变换器（INV）具有使能端子（Ven）、电源端子（Vcb）、晶体管（Tri1）、FET电阻（Fdi2）。晶体管（Tri1）的基极与使能端子（Ven）连接，集电极与电源端子（Vcb）连接，发射极接地。FET电阻（Fdi2）连接在晶体管（Tri1）的集电极和电源端子（Vcb）之间，FET电阻（Fdi2）的栅极电极开路。

主权项

一种功率放大器，其特征在于，具有：放大晶体管，对输入信号进行放大；参考电压产生电路，生成参考电压；偏置电路，基于所述参考电压生成偏置电压，并且，将所述偏置电压向所述放大晶体管供给；以及升压电路，对从外部输入的使能电压进行升压并输出，所述参考电压产生电路根据所述升压电路的输出电压进行接通或断开，所述升压电路具有：使能端子，输入所述使能电压；电源端子，与电源连接；晶体管，具有与所述使能端子连接的控制电极、与所述电源端子连接的第一电极、接地的第二电极；以及FET电阻，连接在所述晶体管的所述第一电极和所述电源端子之间，所述FET电阻的栅极电极开路。