[发明专利]功率放大器

权利要求书

1. 一种功率放大器，其特征在于，具有：

放大晶体管，对输入信号进行放大；

参考电压产生电路，生成参考电压；

偏置电路，基于所述参考电压生成偏置电压，并且，将所述偏置电压向所述放大晶体管供给；以及

升压电路，对从外部输入的使能电压进行升压并输出，

所述参考电压产生电路根据所述升压电路的输出电压进行接通或断开，

所述升压电路具有：

使能端子，输入所述使能电压；

电源端子，与电源连接；

晶体管，具有与所述使能端子连接的控制电极、与所述电源端子连接的第一电极、接地的第二电极；以及

FET电阻，连接在所述晶体管的所述第一电极和所述电源端子之间，

所述FET电阻的栅极电极开路。

2. 如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，

还具有连接在所述FET电阻和所述电源端子之间的二极管。

3. 如权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，

所述FET电阻具有串联连接的两个FET电阻。

4. 如权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，

所述FET电阻具有双栅极。

5. 如权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，

所述FET电阻具有并列形成在半导体基板上的多个杂质扩散区域和与所述多个杂质扩散区域进行肖特基连接的栅极电极，

所述多个杂质扩散区域上的所述栅极电极连结在一起。

6. 如权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，

所述晶体管是增强型FET。

7. 如权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，

所述二极管是二极管接法的增强型FET。

8. 如权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，

所述二极管是两个串联连接的二极管接法的增强型FET。

9. 如权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，

还具有连接在所述FET电阻的正下方的后栅极电极或者连接在所述FET电阻附近的旁侧栅极电极，

对所述后栅极电极或者所述旁侧栅极电极提供恒定或者可变的电位。

10. 一种功率放大器，其特征在于，具有：

放大晶体管，对输入信号进行放大；

参考电压产生电路，生成参考电压；

偏置电路，基于所述参考电压生成偏置电压，并且，将所述偏置电压向所述放大晶体管供给；以及

升压电路，对从外部输入的使能电压进行升压并输出，

所述参考电压产生电路根据所述升压电路的输出电压进行接通或断开，

所述升压电路具有：

使能端子，输入所述使能电压；

电源端子，与电源连接；

第一晶体管，具有与所述使能端子连接的控制电极、与所述电源端子连接的第一电极、接地的第二电极；

第一FET电阻，连接在所述第一晶体管的所述第一电极和所述电源端子之间；

第二晶体管，具有与所述第一晶体管的所述第一电极连接的控制电极、与所述电源端子连接的第一电极、接地的第二电极；

第二FET电阻，连接在所述第二晶体管的所述第一电极和所述电源端子之间；

连接在所述第一FET电阻的正下方的第一后栅极电极或者连接在所述第一FET电阻附近的第一旁侧栅极电极；以及

连接在所述第二FET电阻的正下方的第二后栅极电极或者连接在所述第二FET电阻附近的第二旁侧栅极电极，

所述第一以及第二FET电阻的栅极电极开路，

所述第一晶体管的所述第一电极与所述第二后栅极电极或者所述第二旁侧栅极电极连接，

所述第二晶体管的所述第一电极与所述第一后栅极电极或者所述第一旁侧栅极电极连接。