[发明专利]硅器件结构及其形成时所使用的溅射靶材料有效
| 申请号： | 201110152098.9 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102315276A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 辰巳宪之;外木达也 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅器件结构及其形成时所使用的溅射靶材料，旨在提高硅器件的饱和迁移率特性。一种在硅半导体膜上具有P掺杂n+型非晶硅膜和在该P掺杂n+型非晶硅膜上形成的配线的硅器件结构，所述配线由在所述P掺杂n+型非晶硅膜的表面形成的氧化硅膜和铜合金膜组成，所述铜合金膜是通过溅射含有1原子％以上5原子％以下的Mn以及0.05原子％以上1.0原子％以下的P的铜合金而形成的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 结构 及其 形成 使用 溅射 材料 | ||
【主权项】：
一种硅器件结构，其为在硅半导体膜上具有P掺杂n+型非晶硅膜和在该P掺杂n+型非晶硅膜上形成的配线的硅器件结构，所述配线由在所述P掺杂n+型非晶硅膜的表面形成的氧化硅膜和铜合金膜组成，所述铜合金膜是通过溅射含有1原子％以上5原子％以下的Mn以及0.05原子％以上1.0原子％以下的P的铜合金而形成的膜。
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