[发明专利]硅器件结构及其形成时所使用的溅射靶材料

权利要求书

1.一种硅器件结构，其为在硅半导体膜上具有P掺杂n⁺型非晶硅膜和在该P掺杂n⁺型非晶硅膜上形成的配线的硅器件结构，

所述配线由在所述P掺杂n⁺型非晶硅膜的表面形成的氧化硅膜和铜合金膜组成，

所述铜合金膜是通过溅射含有1原子％以上5原子％以下的Mn以及0.05原子％以上1.0原子％以下的P的铜合金而形成的膜。

2.一种硅器件结构，其为在硅半导体膜上具有P掺杂n⁺型非晶硅膜和在该P掺杂n⁺型非晶硅膜上形成的配线的硅器件结构，

所述配线由在所述P掺杂n⁺型非晶硅膜的表面形成的氧化硅膜和铜合金膜组成，

所述铜合金膜是含有0.9原子％以上5原子％以下的Mn以及0.025原子％以上0.3原子％以下的P的铜合金膜。

3.如权利要求2所述的硅器件结构，其中所述铜合金膜是含有1.9原子％以上5原子％以下的Mn以及0.025原子％以上0.3原子％以下的P的铜合金膜。

4.如权利要求1～3所述的硅器件结构，其中所述氧化硅膜的膜厚为1nm以下。

5.如权利要求1～4所述的硅器件结构，在所述铜合金膜上形成纯铜膜。

6.如权利要求1～5中任一项所述的硅器件结构，所述硅器件结构是液晶面板用薄膜晶体管结构。

7.一种溅射靶材料，其为权利要求1或6中任一项所述的硅器件结构形成时所使用的溅射靶材料，

作为所述溅射靶材料的铜合金是通过铸造法经熔融、合金化而形成，含有1原子％以上5原子％以下的Mn以及0.05原子％以上1.0原子％以下的P。

8.如权利要求7所述的溅射靶材料，其中所述铜合金是含有1原子％以上5原子％以下的Mn以及0.1原子％以上1.0原子％以下的P的铜合金。

9.如权利要求7所述的溅射靶材料，其中所述铜合金是含有2原子％以上5原子％以下的Mn以及0.05原子％以上1.0原子％以下的P的铜合金。