[发明专利]一种提高铜互连可靠性的表面处理方法有效
| 申请号: | 201110150700.5 | 申请日: | 2011-06-07 |
| 公开(公告)号: | CN102420173A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
| 发明(设计)人: | 张亮;姬峰;胡友存;李磊;陈玉文 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种提高铜互连可靠性的表面处理方法,其中,包括以下步骤:步骤a、在一介电层上形成图案化沟槽,并在所述沟槽内镶嵌金属;步骤b、去除所述步骤a镶嵌过程中多余的金属;步骤c、通过混合气体去除表面的残留物和金属的氧化物。本发明的有益效果是:能够去除铜金属层表面的氧化物以及化学机械研磨工艺过程中残留物。从而获得原子级的清洁表面,且该表面与下层的含氮阻挡层结合力提高,因此使铜互连的抗电迁移性能提高,抗应力迁移性能提高,介质层的介电击穿寿命提高,并且同时可以减少现有技术对介质层的损伤,有利于芯片整体性能的提高。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 提高 互连 可靠性 表面 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种提高铜互连可靠性的表面处理方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤a、在一介电层上形成图案化沟槽,并在所述沟槽内镶嵌金属;步骤b、去除所述步骤a镶嵌过程中多余的金属;步骤c、通过混合气体去除所述步骤b中残留在介电层及金属表面的残留物和金属的氧化物;步骤d、在所述介电层及金属表面形成一层致密阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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