[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110149946.0 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102208440A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 王敬;郭磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构，包括：晶圆片；形成在所述晶圆片之上的多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列，所述预定距离小于50nm；和形成在所述多个凸起结构顶部的半导体薄层，且所述半导体薄层中的一部分相对于所述晶圆片悬空。可采用本发明实施例形成的半导体结构的半导体薄层形成器件，由于半导体薄层相对于晶圆片悬空，从而泄漏电流无法传递至衬底，因此本发明实施例的半导体结构能够抑制泄漏电流的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：晶圆片；形成在所述晶圆片之上的多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列，所述预定距离小于50nm；和形成在所述多个凸起结构顶部的半导体薄层，且所述半导体薄层中的一部分相对于所述晶圆片悬空。
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